Irf510

TO-2contribute to its wide acceptance throughout the industry. This N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an. Компания Mouser предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и . Схема собственно усилителя никаких особых пояснений не требует.

Обычная двухтактная схема с . Нужна помощь по данному усилку.

Конструкция Гладкова (УМ для HDK-97). За основу взят усилитель UR4QBP. But, suppose we wish to sink 3. As Figure 3-shows, the . View datasheets, stock and pricing, or find other MOSFETs.

Absolute Maximum Ratings TC = 25oC, Unless Otherwise Specified. Drain to Source Voltage (Note 1). HEXFET power MOSFET, N-Channel type, 100V drain-source breakdown voltage, 0.

R drain-source on-resistance, 5. A drain current, 20V gate source . All registered trademarks and trade names are properties of . IRF5push pull amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = °C, unless otherwise noted). None of my usual suspects surplus parts places (read: cheap) seem to carry the irf510.

Uds: 1V, Idss: A, Pd: W, Rds: Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = A, Vds = 1V, Pd = W, Rds = Ohm, . Мощный телеграфный передатчик своими руками. ВЧ усилитель мощности irf510. Check stock and pricing, view product specifications, and order online. Online shop for diodes, transistors power mosfets, . VGS Gate to Source Voltage tiiV. Большой выбор MOSFET, полевых транзисторов.

Приятные цены, скидки на импортные транзисторы.

loading...